که در آن I، جریان بر حسب آمپر،V، اختلاف پتانسیل بر حسب ولت وT، دمای حقیقی نمونه در مقیاس کلوین می­با­شد که این وابستگی به توان الکتریکی مؤثر عبارت است از:
(۴-۳)
و در این رابطه؛  ، فاکتور اتلاف گرما در اثر رسانش ناقص گرما و T_o، دمای نمونه در جریان الکتریکی صفر می‏باشد.
با بهره گرفتن از رابطه­(۴-۳) و با توجه به رابطه (L فاصله الکترودی یا طول نمونه و A سطح مقطع نمونه یا سطح الکترودی نمونه می باشد) خواهیم داشت:
(۴-۴)
(۴-۵)
حل عددی این معادله می تواند، منحنی­های مشخصه­ی ولتاژ-جریان و مقاومت منفی را نشان ‏دهد، اگرچه می توان با بهره گرفتن از مقادیر I ، V، دمای T₀ نمونه و R در آزمایشات مقادیر E_a و α را یافت. در معادله (۴-۵)، R مقاومت الکتریکی در دمای نامحدود است.
بنابراین با توجه به مطالب ذکر شده برای تعیین ضریب اتلاف گرما و انرژی فعالسازی الکتریکی این نمونه ها، نمودارهای توان الکتریکی (IV) بر حسب را باید رسم نمود که Ea و α به ترتیب از عرض از مبدأ و شیب نمودارهای مذکور بدست می آیند.

شکل ۴-۳) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb0 در دمای K298 و فاصله الکترودی ۱۶۰ میکرون
شکل ۴-۴) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb0 در دمای K298 و فاصله الکترودی ۲۶۰ میکرون
شکل ۴-۵) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb5 در دمای K298 و فاصله الکترودی ۳۰۰ میکرون
شکل ۴-۶) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb5 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۸۰ میکرون
شکل ۴-۷) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۱۵۰ میکرون
شکل ۴-۸) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۱۰ میکرون
شکل ۴-۹) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۱۰) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۱۰ میکرون
شکل ۴-۱۱) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۴۱۰ میکرون
شکل ۴-۱۲) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۵۶۰ میکرون
شکل ۴-۱۳) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۱۴) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۹۰ میکرون
شکل ۴-۱۵) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۵۴۰ میکرون
شکل ۴-۱۶) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۴۰ میکرون
شکل ۴-۱۷) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۹۰ میکرون
شکل ۴-۱۸) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۵۴۰ میکرون
در شکل های (۴-۳) تا (۴-۱۸) منحنی­های مشخصه ولتاژ- جریان نمونه­های TVSbx، در فواصل الکترودی مختلف در دمای اتاق به دست آمده است و دیده می­ شود که در هر نمونه، با افزایش فاصله الکترودی، ولتاژ آستانه شروع رفتار کلید زنی یا مقاومت الکتریکی منفی افزایش می یابد. همانگونه که گفته شد، با توجه به معادله (۴-۵) از قسمت خطی منحنی های توان الکتریکی برحسب می توان Ea و α را به ترتیب از شیب و عرض از مبدأ این خط بدست آورده و نتایج این محاسبات در جدول (۴-۱) آمده است و روی نمودارها نیز ثبت شده است؛ که در آن R و به ترتیب مقاومت الکتریکی در دمای نامحدود و انرژی فعالسازی الکتریکی بدست آمده به روش چهار سیمه می باشد که از کارهای پژوهشی قبلی استفاده شده است[۶۹]. می توان از مقادیر و (Ea بدست آمده در کار حاضر جهت تمایز با بدست آمده به روش چهارسیمه با نماد نشان داده می شود.) که در کار حاضر بدست آمده است دریافت که نتایج انرژی فعالسازی در این دو روش بسیار به هم نزدیکند و همچنین از مقایسه این دو مقدار با مقادیر گاف انرژی این نمونه ها بر اساس گزارش های قبلی [۷۰] چنین نتیجه گرفت که رسانش الکتریکی جهشی (و نه نوار به نوار) حاملهای بار بین حالات جایگزیده صورت می گیرد.
جدول (۴-۱) مقادیر ضریب اتلاف گرما (α) و انرژی فعالسازی الکتریکی (E_a) در روش های مختلف برای نمونه های TVSbx در دمای اتاق (۲۹۸ K) و فواصل الکترودی مختلف